基本参数  

- 型号：B20N10D  

- 类型：N沟道MOSFET  

- 额定电流：20A  

- 额定电压：100V  

- 封装形式：TO-252（TO-252-3L）  

- 应用领域：电源开关、电机控制、电池保护等 

技术特点  

- 低导通电阻：部分型号标注导通电阻约65mΩ 

- 低栅极电荷：优化开关性能，适合高频应用 

- 稳定性：支持长期高温工作，适用于工业级设备